IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

变频器所用IGBT模块，大功率的变频器一般为三块独立模块，每个模块包括一个上桥一个下桥，小功率变频器则使用一体化7合一的模块，即三单元整流、三单元逆变和一单元制动，并自带模块温度自检单元。

单独模块的测量比较简单，以下以七合一模块的测量为例，首先认识一下模块各引脚的定义。

静态测量使用指针万用表，测量方法和原理同普通二极管。

首先测量整流模块上桥，将万用表调到电阻档，黑表笔接整流输出P，红表笔依次接R、S、T，此时正常的状态应该是截止状态。再将黑表笔接R、S、T，红表笔接P，此时显示状态应为导通状态。原理如下图：

然后测量整流模块下桥， 黑表笔接整流输出N，红表笔依次接R、S、T，此时正常的状态应该是导通状态。再将黑表笔接R、S、T，红表笔接P，此时显示状态应为截止状态。

接下来测量IGBT的六个单元二极管是否正常，和刚才测量的方法类似，只不过测量的点是逆变的P和N，以及U、V、W三个输出点。

逆变测量的时候还需要触发IGBT的G极（如上图的G1，G2，G1为上桥驱动，G2为下桥驱动），看IGBT的开关功能是否正常，以测量G1为例，方法是黑表笔接P1，红表笔接E1，然后给G1一个正向电压，如果万用表显示导通，说明IGBT开关功能正常。