一、丹佛斯变频器机柜安装（FC111为例）
月度归档 10月 2022
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10月变频器IGBT工作原理和检测方法
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）又称绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，因此，可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 （10-40 kHz） 等特点，已逐步取代晶闸管和GTO（门极可关断晶闸管），是目前发展最为迅速的新一代电力电子器件，也是变频器的重要元件之一。
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一台阿尔法变频器，画出U相上下臂IGBT的驱动电路图，可以看到，每相下臂IGBT的驱动电路共用D51、E32直流电源。驱动供电也由稳压电路分为+15V和-7.2V两路电源，以形成对IGBT供电的+15V激励电压回路和-7.2V的截止电压回路。驱动IC（A316J）的左侧引脚为输入侧电路，右侧引脚为输出侧电路。无论是脉冲信号还是OC故障信号，都由内部光耦合器电路相隔离。由PC929相比，因内部已有对OC信号的隔离，可省去外接光耦合器，并且脉冲信号、OC信号和故障复位信号可经控制端子CNN1直接与CPU脉冲输出引脚相连。在有的变频器电路中，仅是下三臂IGBT驱动电路采用A316J，上三管采用TLP250等。
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